Аналог транзистора 032N06N

СОДЕРЖАНИЕ:

Аналог транзистора 032N06N

Проверка полевого транзистора с помощью мультиметра

1. Меры предосторожности при работе с полевыми транзисторами

Чтобы предотвратить выход из строя транзистора во время проверки, очень важно соблюдать правила безопасности. Полевые транзисторы очень чувствительны к статическому электричеству, поэтому их рекомендуется проверять, предварительно организовав заземление. Для того чтобы снять с себя накопленные статические электрические заряды, необходимо надеть на руку заземляющий антистатический браслет.

При отсутствии браслета достаточно коснуться рукой батареи отопления или любых заземленных предметов, так как электростатические заряды между телами при их разделении распределяются пропорционально массе тел. Поэтому для их «обезвреживания» бывает достаточно прикоснуться даже к любой большой незаземленной металлической поверхности.

При хранении полевых транзисторов, особенно маломощных, их выводы должны быть замкнуты между собой.

2. Определение цоколёвки полевых транзисторов

Полевые транзисторы, выполненные по технологии МОП (металл-оксид-полупроводник) или МДП (металл-диэлектрик-полупроводник) в англоязычной литературе носят наименование MOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor). Расположение выводов (цоколёвка) полевых транзисторов Затвор (Gate) – Сток (Drain) – Исток (Source) может быть различным. Чаще всего выводы транзистора можно определить по маркировке на плате ремонтируемого аппарата (обычно выводы маркируются латинскими буквами G, D, S). Если такой маркировки нет, то желательно воспользоваться справочными данными (datasheet).

Основные типы корпусов полевых транзисторов импортного производства

Корпус типа D²PAK, так же известен как TO-263-3. Встречается в основном на пожилых платах, на современных используется редко.

Корпус типа DPAK, так же известен как TO-252-3. Наиболее часто используется, представляет собой уменьшенный D²PAK.

Корпус типа SO-8.Встречается на материнских платах и видеокартах, чаще на последних. Внутри может скрываться один или два полевых транзистора.

Корпус типа SuperSO-8, он же — TDSON-8. отличается от SO-8 тем, что 4 вывода соединены с подложкой транзистора, что облегчает температурный режим. Характерен для продуктов фирмы Infineon. Легко заменяется на аналог в корпусе SO-8

Корпус типа IPAK так же известен как TO-251-3. По сути — полный аналог DPAK, но с полноценной второй ногой. Такой тип транзисторов очень любит использовать фирма Intel на ряде своих плат.

Для электронных компонентов иностранного производства справочные данные берутся из Даташит (Datasheet — в дословном переводе «бумажка с информацией) — официального документа от производителя электронных компонентов, в котором приводятся описание, параметры, характеристики изделия, типовые схемы и т.д. Datasheet обычно представляет собой файл в формате PDF.

3. Основные характеристики N-канального полевого транзистора

Различных параметров важных, и не очень, у полевых транзисторов много. Мы подойдем к вопросу с прикладной точки зрения и ограничимся рассмотрением необходимых нам практически параметров.

  • Vds — Drain to Source Voltage— максимальное напряжение сток-исток.
  • Vgs — Gate to Source Voltage— максимальное напряжение затвор-исток.
  • >Параметр Rds(on) может указываться при разных напряжениях затвор-исток, как правило это 10 и 4.5 вольта, это важная особенность которую нужно обязательно учитывать.

4. Система маркировки полевых транзисторов

Рассмотрим на примере транзистора 20N03. Это означает, что он рассчитан на напряжение (Vds)

20A. Буква N означает, что это N-канальный транзистор. Но из любого правила есть исключения, так, например, фирма Infineon указывает в маркировке Rds, а не максимальный ток.

Примеры :

    IPP15N03L — Infineon OptiMOS N-channel MOSFET Vds=30V Rds=12.6mΩ >Итак, в случае маркировки XXYZZ мы можем утверждать, что XX — или Rds, или Id Y — тип канала ZZ – Vds.

5. Алгоритм проверки исправности полевого транзистора

Проверку можно проводить стрелочным омметром (предел х100), но более удобно это делать цифровым мультиметром в режиме тестирования P-N пере­ходов . Показываемое мультиметром зна­чение сопротивления на этом пределе численно равно напряжению на P-N переходе в милливольтах.

6. Пример проверки транзистора мультиметром:

У исправного полевого транзистора между всеми его выводами должно быть бесконечное сопротивление. Причем бесконечное сопротивление прибор должен показывать независимо от полярности прикладываемого напряжения (щупов).

В современных мощных полевых транзисторах между стоком и истоком имеется встроенный диод поэтому канал «сток-исток» при проверке ведет себя как обычный диод.

Далее, не снимая черного щупа, касаемся красным щупом вывода ЗАТВОРА (G) и опять возвращаем его на вывод ИСТОКА (S). Мультиметр показывает близкое к нулю значение, причём при любой полярности приложенного напряжения — полевой транзистор открылся прикосновением. На некоторых цифровых мультиметрах возможно значение будет не 0, а 150…170 мВ

Если теперь черным щупом коснуться вывода ЗАТВОРА (G), не отпуская красного щупа, и вернуть его на вывод подложки — СТОКА (D), то полевой транзистор закроется и мультиметр снова будет показывать падение напряжения на диоде. Это верно для большинства N-канальных полевых транзисторов в корпусе DPAK и D²PAK, применяемых на материнских платах и видеокартах.

Транзистор выполнил всё, что от него требовалось. Диагноз — исправен.

Для проверки P-канальных полевых транзисторов нужно поменять полярность напряжений открытия-закрытия. Для этого просто меняем щупы мультиметра местами.

Методика проверки исправности полевых транзисторов с достаточной степенью правильности показана в видеоролике от магазина Чип и Дип

SMD ТРАНЗИСТОРЫ

Привет друзья и читатели сайта «РАДИОСХЕМЫ», продолжаем вместе с вами знакомиться с современными SMD радиодеталями. Сегодняшний обзор — обзор SMD транзисторов, которые вы наверно уже видели в современных различных электронных устройствах.

Транзисторы в SMD корпусе, очень удобны, особенно где каждый миллиметр платы важен. Представьте, как бы изменился мобильный телефон (плата которого полностью из SMD деталей), если бы там использовали обычные выводные DIP детали.

Выше фото SMD транзистора на фоне обычного, в TO 92.

Это фото различных СМД транзисторов, справа — обычный в TO92. Как правило, цоколёвка всех таких транзисторов одинакова — это тоже огромный плюс.

Название различных корпусов, DIP и SMD. Фото можно увеличить.

Как сделаны планарные транзисторы, вы можете увидеть ниже.

У планарных, как и у обычных транзисторов, есть множество видов, составные (Дарлингтон), полевые, биполярные и IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором).

Обратите внимание, на платах и схемах транзисторы маркируются «Q» и «VT» (так должно быть, хотя некоторые производители брезгуют этим), зачем я это пишу? Часто в один и тот-же корпус, изготовитель может впихнуть всё, что ему хочется — от диода и до линейного стабилизатора напряжения (78хх), даже различных датчиков. Ещё существует внутренняя маркеровка завода, к примеру детали фирмы Epcos. На такие детали очень трудно найти даташит, а иногда его вовсе нет в интернете.

Пайка

Паять такие транзисторы не трудно, особенно ускоряет и делает более легким, процесс пайки различных SMD деталек — микроскоп, пинцет (просто незаменимые вещи) различные флюсы и паяльные жиры с BGA-пастой. Сначала лудим контактные площадки нашего транзистора и платы (не перегрейте).

Затем позиционируем наш транзистор, я делаю это пинцетом.

Припаиваем любую из ножек. Отпускаем пинцет, и позиционируем нашу детальку как можно ровнее, для отличного вида, так сказать ��

Припаиваем оставшиеся «ножки» радиоэлемента.

И вот наш транзистор крепко и хорошо припаян к плате. В следующих статьях, буду писать об этом всём подробнее (флюсы, пинцеты, пайка и т.д). А по поводу обозначений и цоколёвок разных типов транзисторов — на форуме есть несколько очень полезных ссылок. Статью написал BIOS.

Как подобрать аналог полевого транзистора?

Сразу оговоримся, что речь пойдет о подборе аналогов N-канальных, «logic-level», полевых транзисторов которые можно встретить в цепях питания на материнских платах и видеокартах. Logic-level, в данном случае, означает, что речь идет о приборах которые управляются, т.е. способны полностью открывать переход Drain to Source, при приложении с затвору относительно небольшого, до 5 вольт, напряжения.

Содержание

Как может выглядеть полевый транзистор

Как правило на место прибора в корпусе D²PAK без проблем ставиться аналогичный но в корпусе DPAK.

При определенной сноровке можно на посадочное место под DPAK «раскорячить» D²PAK, хотя выглядеть будет не эстетично.

LFPAK естественно без проблем меняется на SO-8 с одним N-канальным транзистором, и наоборот.

В остальных случаях необходимо подбирать прибор в полностью аналогичном корпусе.

Где может использоваться полевый транзистор

Выше мы договорись что рассматриваем только подсистему питания, посему вариантов немного:

  • Импульсный преобразователь напряжения.
  • Линейный стабилизатор напряжения.
  • Ключ в цепях коммутации напряжения.

Система маркировки полевых транзисторов

Рассмотрим оную на примере. Пускай, у нас есть 20N03. Это означает, что он рассчитан на напряжение (Vds)

Итак, в случае маркировки XXYZZ мы можем утверждать, что XX — или Rds, или Id Y — тип канала ZZ — Vds

Основные характеристики N-канального полевого транзистора

В общем различных параметров важных, и не очень, у полевых транзисторов много. Мы подойдем к вопросу с прикладной точки зрения и ограничимся рассмотрением необходимых нам практически параметров.

  • Vds — Drain to Source Voltage — максимальное напряжение сток-исток.
  • Vgs — Gate to Source Voltage — максимальное напряжение затвор-исток.
  • Id — Drain Current — максимальный ток стока.
  • Vgs(th) — Gate to Source Threshold Voltage — пороговое напряжение затвор-исток при котором начинает открываться переход сток-исток.
  • Rds(on) — Drain to Source On Resistance — сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии.
  • Q(tot) — Total Gate Charge — полный заряд затвора.

Хочу обратить внимание что параметр Rds(on) может указываться при разных напряжениях затвор-исток, как правило это 10 и 4.5 вольта, это важная особенность которую нужно обязательно учитывать.

Степень критичности параметров в разных применениях

Vds Vgs Id Vgs(th) Rds(on) Q(tot)
Импульсный преобразователь критично критично критично неважно критично обратить внимание
Линейный стабилизатор критично критично обратить внимание обратить внимание не имеет значения не имеет значения
Ключ критично критично обратить внимание неважно обратить внимание не имеет значения
  • Vds, Vgs — параметры всегда учитываемые, т.к. если если их превысить транзистор выходит из строя. Должен быть больше либо равен аналогичному параметру заменяемого прибора. В случае работы в импульсном преобразователе не стоит использовать приборы с запасом по рабочему напряжению более чем в 2-2.5 раза, т.к. приборы с большим рабочим напряжением, как правило, имеют худшие скоростные характеристики.
  • Id — параметр важный только в импульсном преобразователе, т.к. в остальных случаях ток крайне редко превышает 10% от номинального даже не слишком мощных приборов. Должен быть больше либо равен аналогичному параметру заменяемого прибора в случае с импульсным преобразователем, и быть не меньше 10 ампер в остальных случаях.
  • Vgs(th) — имеет, некоторое, значение при работе в линейном стабилизаторе, т.к. только там транзистор работает в активном, а не ключевом, режиме. Хотя практически logic-level полевых транзисторов которые могут не подойти по этому параметру не выпускается. Данный параметр критичен для линейных стабилизаторов, где в качестве управляющего элемента используется TL431 с питанием от +5В (к примеру, такая схема часто используется в линейных стабилизаторах напряжения на видеокартах)
  • Rds(on) — от этого параметра прямо-пропорционально зависит нагрев транзистора работающего в ключевом режиме, при прохождении тока через открытый канал. В данном случае чем меньше — тем лучше. ВНИМАНИЕ не следует забывать что защита от токовой перегрузки и КЗ ШИМ серий HIP63** и некоторых других исползует Rds(on) нижнего ключей (те что с дросселя на землю) в качестве датчика тока-зачителное его изменение изменит ток защиты и либо защита по току-будет работать раньше чем надо-результат просадки питания на пиках нагрузки-либо ток КЗ столь велик что убьет ключи раньше чем мама отключит БП снятием PW-ON поэтому строго говоря надо еще и Risen у шимки поменять(но это никто обычно не делает!)
  • Q(tot) — влияет на время перезаряда затвора, и соотвественно способно затягивать открытия и закрытия транзистора. Опять же чем меньше — тем лучше.

Документ от Fairchild Selection of MOSFETs in Switch Mode DC-DC Converters — рекомендации по подбору (а значит и замене) MOSFETs.

Транзистор 2N06L23

Предлагаем Вам услуги по ремонту блока и замене транзистора 2N06L23 в нашей мастерской, блок также можно отправить нам для ремонта по Почте или с помощью курьерской службы. В некоторых случаях транзистор 2n06l23 может сопровождается видеоматериалами по ремонту, файлами прошивки (для процессоров и микросхем памяти), даташитом с подобрым описанием характеристик компонента. Данные материалы при их наличии будут доступны на соответствующих вкладках.

Полезный сайт

1. Меры предосторожности при работе с полевыми транзисторами

Чтобы предотвратить выход из строя транзистора во время проверки, очень важно соблюдать правила безопасности. Полевые транзисторы очень чувствительны к статическому электричеству, поэтому их рекомендуется проверять, предварительно организовав заземление. Для того чтобы снять с себя накопленные статические электрические заряды, необходимо надеть на руку заземляющий антистатический браслет.

При отсутствии браслета достаточно коснуться рукой батареи отопления или любых заземленных предметов, так как электростатические заряды между телами при их разделении распределяются пропорционально массе тел. Поэтому для их «обезвреживания» бывает достаточно прикоснуться даже к любой большой незаземленной металлической поверхности.

При хранении полевых транзисторов, особенно маломощных, их выводы должны быть замкнуты между собой.

2. Определение цоколёвки полевых транзисторов

Полевые транзисторы, выполненные по технологии МОП (металл-оксид-полупроводник) или МДП (металл-диэлектрик-полупроводник) в англоязычной литературе носят наименование MOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor). Расположение выводов (цоколёвка) полевых транзисторов Затвор (Gate) – Сток (Drain) – Исток (Source) может быть различным. Чаще всего выводы транзистора можно определить по маркировке на плате ремонтируемого аппарата (обычно выводы маркируются латинскими буквами G, D, S). Если такой маркировки нет, то желательно воспользоваться справочными данными (datasheet).

Основные типы корпусов полевых транзисторов импортного производства

Корпус типа D²PAK, так же известен как TO-263-3. Встречается в основном на пожилых платах, на современных используется редко.

Корпус типа DPAK, так же известен как TO-252-3. Наиболее часто используется, представляет собой уменьшенный D²PAK.

Корпус типа SO-8.Встречается на материнских платах и видеокартах, чаще на последних. Внутри может скрываться один или два полевых транзистора.

Корпус типа SuperSO-8, он же — TDSON-8. отличается от SO-8 тем, что 4 вывода соединены с подложкой транзистора, что облегчает температурный режим. Характерен для продуктов фирмы Infineon. Легко заменяется на аналог в корпусе SO-8

Корпус типа IPAK так же известен как TO-251-3. По сути — полный аналог DPAK, но с полноценной второй ногой. Такой тип транзисторов очень любит использовать фирма Intel на ряде своих плат.

Для электронных компонентов иностранного производства справочные данные берутся из Даташит (Datasheet— в дословном переводе «бумажка с информацией) — официального документа от производителя электронных компонентов, в котором приводятся описание, параметры, характеристики изделия, типовые схемы и т.д. Datasheet обычно представляет собой файл в формате PDF.

3. Основные характеристики N-канального полевого транзистора

Различных параметров важных, и не очень, у полевых транзисторов много. Мы подойдем к вопросу с прикладной точки зрения и ограничимся рассмотрением необходимых нам практически параметров.

  • Vds — Drain to Source Voltage— максимальное напряжение сток-исток.
  • Vgs — Gate to Source Voltage— максимальное напряжение затвор-исток.
  • Id — Drain Current — максимальный ток стока.
  • Vgs(th) — Gate to Source Threshold Voltage — пороговое напряжение затвор-исток при котором начинает открываться переход сток-исток.
  • Rds(on) — Drain to Source On Resistance — сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии.
  • Q(tot) — Total Gate Charge — полныйзарядзатвора.

Параметр Rds(on) может указываться при разных напряжениях затвор-исток, как правило это 10 и 4.5 вольта, это важная особенность которую нужно обязательно учитывать.

4. Система маркировки полевых транзисторов

Рассмотрим на примере транзистора 20N03. Это означает, что он рассчитан на напряжение (Vds)

20A. Буква N означает, что это N-канальный транзистор. Но из любого правила есть исключения, так, например, фирма Infineon указывает в маркировке Rds, а не максимальный ток.

Примеры:

  • IPP15N03L — Infineon OptiMOS N-channel MOSFET Vds=30V Rds=12.6mΩ >
  • IPB15N03L— Infineon OptiMOS N-channel MOSFET Vds=30V Rds=12.6mΩ >
  • SPI80N03S2L-05 — Infineon OptiMOS N-channel MOSFET Vds=30V Rds=5.2mΩ >
  • NTD40N03R— On Semi Power MOSFET 45 Amps, 25 Volts Rds=12.6mΩ
  • STD10PF06 — ST STripFET™ II Power P-channel, MOSFET 60V 0.18Ω 10A IPAK/DPAK

Итак, в случае маркировки XXYZZ мы можем утверждать, что XX — или Rds, или Id Y — тип канала ZZ – Vds.

5. Алгоритм проверки исправности полевого транзистора

Проверку можно проводить стрелочным омметром (предел х100), но более удобно это делать цифровым мультиметром в режиме тестирования P-N пере­ходов . Показываемое мультиметром зна­чение сопротивления на этом пределе численно равно напряжению на P-N переходе в милливольтах.

6. Пример проверки транзистора мультиметром:

У исправного полевого транзистора между всеми его выводами должно быть бесконечное сопротивление. Причем бесконечное сопротивление прибор должен показывать независимо от полярности прикладываемого напряжения (щупов).

В современных мощных полевых транзисторах между стоком и истоком имеется встроенный диод поэтому канал «сток-исток» при проверке ведет себя как обычный диод.

Далее, не снимая черного щупа, касаемся красным щупом вывода ЗАТВОРА (G) и опять возвращаем его на вывод ИСТОКА (S). Мультиметр показывает близкое к нулю значение, причём при любой полярности приложенного напряжения — полевой транзистор открылся прикосновением. На некоторых цифровых мультиметрах возможно значение будет не 0, а 150…170 мВ

Если теперь черным щупом коснуться вывода ЗАТВОРА (G), не отпуская красного щупа, и вернуть его на вывод подложки — СТОКА (D), то полевой транзистор закроется и мультиметр снова будет показывать падение напряжения на диоде. Это верно для большинства N-канальных полевых транзисторов в корпусе DPAK и D²PAK, применяемых на материнских платах и видеокартах.

Транзистор выполнил всё, что от него требовалось. Диагноз — исправен.

Для проверки P-канальных полевых транзисторов нужно поменять полярность напряжений открытия-закрытия. Для этого просто меняем щупы мультиметра местами.

Методика проверки исправности полевых транзисторов с достаточной степенью правильности показана в видеоролике от магазина Чип и Дип

Добавить комментарий Отменить ответ

Для отправки комментария вам необходимо авторизоваться.

Навигатор по MOSFET транзисторам, рекомендуемым для новых разработок

N-канальные MOSFET транзисторы одноканальные

Корпуса для поверхностного монтажа

20-25 В

20V, 4A, 43 mOhm, 3 nC Qg, 2.5V drive capable, SOT-23

20V, 6.4A, 21 mOhm, 8 nC Qg, 2.5V drive capable, SOT-23

25V, 5.7A, 24 mOhm, 3.6 nC Qg, SOT-23

30 В

30V, 2.7A, 100 mOhm, 1.0 nC Qg, SOT-23

30V, 5.2A, 27 mOhm, 3.6 nC Qg, SOT-23

30V, 3.3A, 77 mOhm, 3 nC Qg, 2.5V drive capable, SOT-23

30V, 6.3A, 34 mOhm, 7.5 nC Qg, 2.5V drive capable, SOT-23

40 В

40V, 3.6A, 56 mOhm, 2.6 nC Qg, SOT-23

55 — 60 В

60V, 1.2A, 460 mOhm, 0.4 nC Qg, SOT-23

60V, 2.7A, 92 mOhm, 2.5 nC Qg, SOT-23

100 В

100V, 1.6A, 220 mOhm, 2.5 nC Qg, SOT-23

Все транзисторы являются Trench MOSFET транзисторы и предназначены для применения в импульсных источниках питания.

20 — 25 В

20V, 8.5A, 11.7 mOhm, 14 nC Qg, 2.5V drive capable

25V, 8.5A, 13 mOhm, 4.3 nC Qg

30 В

30V, 8.5A, 16.2 mOhm, 11nC Qg, 2.5V drive capable

30V, 8.5A, 16 mOhm, 4.2 nC Qg

Все транзисторы являются Trench MOSFET транзисторы и предназначены для применения в импульсных источниках питания.

20 — 25 В

20V, 40A, 2.5 mOhm, 52 nC Qg, 2.5V drive capable

30 В

30V, 16A, 7.1 mOhm, 9.6 nC Qg

30V, 12A, 12.4 mOhm, 5.4 nC Qg

30V, 24A, 7.8 mOhm, 7.3 nC Qg

30V FETky, 40A, 4.3 mOhm, 13 nC Qg

30V, 40A, 3.8 mOhm, 15 nC Qg

30V, 40A, 3.5 mOhm, 41 nC Qg, 2.5V drive capable

Все транзисторы являются Trench MOSFET транзисторы и предназначены для применения в импульсных источниках питания.

20 – 25 В

20V, 20A, 4.4 mOhm, 22 nC Qg, SO-8

25V, 25A, 2.7 mOhm, 35 nC Qg, SO-8

20V, 27A, 2.45 mOhm, 130 nC Qg, 2.5V drive capable

30 В

30V, 8.5A, 21mOhm, TSOP-6

30V, 11A, 11.9 mOhm, 6.2 nC Qg, SO-8

30V, 14A, 8.7 mOhm, 8.1 nC Qg, SO-8

30V, 14A, 8.5 mOhm, 8.3 nC Qg, SO-8

30V, 18A, 4.8 mOhm, 17 nC Qg, SO-8

30V, 21A, 3.5 mOhm, 20 nC Qg, SO-8

30V, 21A, 3.3 mOhm, 30 nC Qg, SO-8

30V, 24A, 2.8 mOhm, 44 nC Qg, SO-8

30V, 9.9A, 14.6 mOhm, 11 nC Qg, 2.5V drive capable

30V, 8.5A, 20mOhm, 2.5V drive capable, TSOP-6

40 В

40V, 18A, 5 mOhm, 33 nC Qg, SO-8

55 — 60 В

60V, 12A, 9.4 mOhm, 26 nC Qg, SO-8

75 — 80 В

80V, 9.2A, 15 mOhm, 31 nC Qg, SO-8

80V, 10A, 13.4 mOhm, 27 nC Qg, SO-8

100 В

100V, 7.3A, 22 mOhm, 34 nC Qg, SO-8

100V, 8.3A, 18 mOhm, 28 nC Qg, SO-8

150 В

150V, 5.2A, 44 mOhm, 36 nC Qg, SO-8

150V, 5.1A, 43 mOhm, 25 nC Qg, SO-8

200 В

200V, 3.7A, 79 mOhm, 39 nC Qg, SO-8

Все транзисторы являются Trench MOSFET транзисторы и предназначены для применения в импульсных источниках питания.

20

25 В

20V, 100A, 1.2 mOhm, 155 nC Qg, 2.5V drive capable, PQFN5x6

20V, 50A, 3.0 mOhm, 54 nC Qg, 2.5V drive capable, PQFN5x6

25V, 51A, 6 mOhm, 7 nC Qg, Low Rg, PQFN 5×6

25V, 100A, 1.15 mOhm, 52 nC Qg, PQFN 5×6

25V FETky, 100A, 1.4 mOhm, 39 nC Qg, PQFN 5×6

30 В

30V, 16A, 13 mOhm, 4.7 nC Qg, PQFN 5×6

30V, 25A, 9 mOhm, 7.1 nC Qg, PQFN 5×6

30V, 44A, 8.1 mOhm, 7.8 nC Qg, PQFN 5×6

30V, 25A, 6.6 mOhm, 9.3 nC Qg, PQFN 5×6

30V, 25A, 5 mOhm, 15 nC Qg, PQFN 5×6

30V, 79A, 4.5 mOhm, 16 nC Qg, PQFN 5×6

30V, 82A, 4.2 mOhm, 15 nC Qg, Low Rg, PQFN 5×6

30V, 50A, 4.1 mOhm, 14 nC Qg, PQFN 5×6

30V, 50A, 3.1 mOhm, 19 nC Qg, PQFN 5×6

30V, 50A, 2.1 mOhm, 33 nC Qg, PQFN 5×6

30V, 100A, 2.1 mOhm, 29 nC Qg, PQFN 5×6

30V FETky, 100A, 2.5 mOhm, 26 nC Qg, PQFN 5×6

30V, 100A, 1.85 mOhm, 37 nC Qg, PQFN 5×6

30V, 100A, 1.4 mOhm, 50 nC Qg, PQFN 5×6

40 В

40V, 100A, 4.3 mOhm, 42 nC Qg, PQFN 5×6

40V, 100A, 3.5 mOhm, 53 nC Qg, PQFN 5×6

40V, 100A, 2.6 mOhm, 73 nC Qg, PQFN 5×6

55 — 60 В

60V, 40A, 14.4 mOhm, 23 nC Qg, PQFN 5×6

60V, 89A, 6.7 mOhm, 40 nC Qg, PQFN 5×6

60V, 100A, 5.6 mOhm, 50nC Qg, PQFN 5×6

60V, 100A, 4.1 mOhm, 67 nC Qg, PQFN 5×6

75 — 80 В

75V, 75A, 8.5 mOhm, 48 nC Qg, PQFN 5×6

75V, 71A, 9.6 mOhm, 39 nC Qg, PQFN 5×6

75V, 100A, 5.9 mOhm, 65 nC Qg, PQFN 5×6

100 В

100V, 55A, 14.9 mOhm, 39 nC Qg, PQFN 5×6

100V, 63A, 12.4 mOhm, 48 nC Qg, PQFN 5×6

100V, 100A, 9.0 mOhm, 65 nC Qg, PQFN 5×6

150 В

150V, 27A, 58 mOhm, 20 nC Qg, PQFN 5×6

150V, 56A, 31 mOhm, 33 nC Qg, PQFN 5×6

200 В

200V, 20A, 100 mOhm, 20 nC Qg, PQFN 5×6

200V, 41A, 59 mOhm, 36 nC Qg, PQFN 5×6

250 В

250V, 31A, 104 mOhm, 36 nC Qg, PQFN 5×6

25 В

25V, 39A, 7.8 mOhm, 8.1 nC Qg, Small Can

25V, 37A, 5.9 mOhm, 8.8 nC Qg, Small Can

25V, 68A, 4.9 mOhm, 13 nC Qg, Small Can

25V, 95A, 3.0 mOhm, 21 nC Qg, Small Can

25V, 166A, 2.1 mOhm, 29 nC Qg, Med Can

25V, 180A, 1.6 mOhm, 40 nC Qg, Med Can

25V, 180A, 1.6 mOhm, 39 nC Qg, Med Can

25V, 220A, 1.25 mOhm, 46 nC Qg, Med Can

25V, 160A, 1.8 mOhm, 35 nC Qg, Med Can

25V, 210A, 1.4 mOhm, 45 nC Qg, Med Can

25V, 270A, 0.7 mOhm, 64 nC Qg, Large Can

30 В

30V, 35A, 8.0 mOhm, 7.9 nC Qg, Small Can

30V, 36A, 8.9 mOhm, 6.6 nC Qg, Small Can

30V, 47A, 6.6 mOhm, 9.4 nC Qg, Med Can Dual

30V, 47A, 6.6 mOhm, 9.4 nC Qg, Med Can Dual

30V, 56A, 7.7 mOhm, 11 nC Qg, Med Can

30V, 58A, 7.3 mOhm, 11 nC Qg, Small Can

30V, 60A, 7.3 mOhm, 11.7 nC Qg, Small Can

30V, 140A, 2.5 mOhm, 28 nC Qg, Med Can

30V, 150A, 2.5 mOhm, 33 nC Qg, Med Can

30V, 170A, 2.2 mOhm, 36 nC Qg, Med Can

30V, 180A, 1.7 mOhm, 51 nC Qg, Med Can

30V, 180A, 1.7 mOhm, 49 nC Qg, Med Can

30V, 190A, 1.8 mOhm, 42 nC Qg, Med Can

40 В

40V, 55A, 8.3 mOhm, 19 nC Qg, Small Can

40V, 106A, 5.0 mOhm, 29 nC Qg, Med Can

40V, 150A, 3.4 mOhm, 42 nC Qg, Med Can

40V, 270A, 1.0 mOhm, 220 nC Qg, Large Can

55 — 60 В

60V, 67A, 11.2 mOhm, 25 nC Qg, Med Can

60V, 86A, 7.0 mOhm, 36 nC Qg, Med Can

60V, 108A, 1.3mohms, 220nC, Large Can

75 — 80 В

80V, 55A, 15 mOhm, 22 nC Qg, Med Can

80V, 68A, 9.5 mOhm, 36 nC Qg, Med Can

75V, 83.8, 2.2 mohms, 220nC, Large Can

100 В

100V, 19A, 62 mOhm, 8.7 nC Qg, Small Can

100V, 14.7A, 60 mOhm, 8.3 nC Qg, Small Can

100V, 25A, 35 mOhm, 14 nC Qg, Small Can

100V, 47A, 22 mOhm, 22 nC Qg, Med Can

100V, 60A, 13 mOhm, 35 nC Qg, Med Can

100V, 124A, 3.5 mOhm, 200 nC Qg, Large Can

150 В

150V, 28A, 47 mOhm, 25 nC Qg, Med Can

150V, 35A, 35 mOhm, 39 nC Qg, Med Can

150V, 67A, 11 mOhm, 97 nC Qg, Large Can

200 В

200V, 15A, 100 mOhm, 26 nC Qg, Med Can

200V, 26A, 60 mOhm, 34 nC Qg, Med Can

250 В

250 В, 35A, 38 mOhm, 110 nC Qg, Large Can

20V25V

20V, 37A, 15 mOhm, 4.7 nC Qg, D-Pak

20V, 49A, 11 mOhm, 7.2 nC Qg, D-Pak

20V, 60A, 8.4 mOhm, 9.3 nC Qg, D-Pak

20V, 93A, 5.7 mOhm, 18 nC Qg, D-Pak

20V, 120A, 4.2 mOhm, 21 nC Qg, D-Pak

20V, 42A, 4.0 mOhm, 54 nC Qg, 2.5V drive capable, D-PAK

25V, 81A, 5.7 mOhm, 10 nC Qg, D-PAK

25V, 57A, 8.7 mOhm, 6.8 nC Qg, D-PAK

30V

30V, 43A, 13.8 mOhm, 7 nC Qg, D-Pak

30V, 71A, 8.6 mOhm, 10 nC Qg, D-PAK

30V, 65A, 8.4 mOhm, 8.5 nC Qg, D-Pak

30V, 85A, 6.0 mOhm, 18 nC Qg, D-PAK

30V, 94A, 6 mOhm, 22 nC Qg, D-Pak

30V, 160A, 3.1 mOhm, 39 nC Qg, D-Pak

40V

40V, 77A, 9 mOhm, 30 nC Qg, D-Pak

40V, 119A, 5.5 mOhm, 59 nC Qg, D-Pak

55V — 60V

55V, 30A, 24.5 mOhm, 18 nC Qg, D-Pak

60V, 42A, 15.8 mOhm, 22 nC Qg, D-Pak

55V, 62A, 11 mOhm, 40 nC Qg, D-Pak

60V, 77A, 8.4 mOhm, 46 nC Qg, D-Pak

75V — 80V

75V, 45A, 22 mOhm, 34 nC Qg, D-Pak

75V, 53A, 16 mOhm, 50 nC Qg, D-Pak

75V, 80A, 9.0 mOhm, 51 nC Qg, D-Pak

100V

100V, 8.7A, 190 mOhm, 6.9 nC Qg, D-Pak

100V, 35A, 28.5 mOhm, 39 nC Qg, D-Pak

100V, 56A, 18 mOhm, 69 nC Qg, D-Pak

150V

150V, 33A, 42 mOhm, 26 nC Qg, D-Pak

200V

200V, 24A, 78 mOhm, 25 nC Qg, D-Pak

20- 25 В

20V, 36A, 16 mOhm, 4.8 nC Qg, D2-Pak

20V, 50A, 11 mOhm, 7 nC Qg, D2-Pak

20V, 67A, 7.9 mOhm, 8.7 nC Qg, D2-Pak

20V, 92A, 6 mOhm, 16 nC Qg, D2-Pak

24V, 340A, 1.65 mOhm, 160 nC Qg, D2-Pak

24V, 429A, 1 mOhm, 180 nC Qg, D2-Pak 7-pin

30 В

30V, 59A, 9.5 mOhm, 9.7 nC Qg, D2-Pak

30V, 87A, 6.3 mOhm, 17 nC Qg, D2-Pak

30V, 105A, 6 mOhm, 23 nC Qg, D2-Pak

30V, 150A, 3.8 mOhm, 32 nC Qg, D2-Pak

30V, 260A, 2.4 mOhm, 160 nC Qg, D2-Pak

40 В

40V, 120A, 5.5 mOhm, 68 nC Qg, D2-Pak

40V, 190A, 3.7 mOhm, 100 nC Qg, D2-Pak

40V, 270A, 2.0 mOhm, 160 nC Qg, D2-Pak

40V, 340A, 1.75 mOhm, 160 nC Qg, D2-Pak

40V, 320A, 1.6 mOhm, 170 nC Qg, D2-Pak 7-pin

40V, 400A, 1.25 mOhm, 160 nC Qg, D2-Pak 7-pin

55 — 60 В

60V, 42A, 15.8 mOhm, 22 nC Qg, D2-Pak

55V, 51A, 13.9 mOhm, 29 nC Qg, D2-Pak

60V, 77A, 8.4 mOhm, 51 nC Qg, D2-Pak

55V, 110A, 6.5 mOhm, 76 nC Qg, D2-Pak

60V, 160A, 4.2 mOhm, 85 nC Qg, D2-Pak

60V, 210A, 3 mOhm, 120 nC Qg, D2-Pak

60V, 270A, 2.5 mOhm, 200 nC Qg, D2-Pak

60V, 293A, 2.1 mOhm, 200 nC Qg, D2-Pak 7-pin

75 — 80 В

75V, 80A, 9.0 mOhm, 51 nC Qg, D2-Pak

75V, 120A, 5.8 mOhm, 79 nC Qg, D2-Pak

75V, 170A, 4.1 mOhm, 120 nC Qg, D2-Pak

75V, 230A, 3.0 mOhm, 160 nC Qg, D2-Pak

75V, 260A, 2.6 mOhm, 160 nC Qg, D2-Pak 7-pin

100 В

100V, 36A, 26.5 mOhm, 42 nC Qg, D2-Pak

100V, 59A, 18 mOhm, 82 nC Qg, D2-Pak

100V, 73A, 14 mOhm, 90 nC Qg, D2-Pak

100V, 97A, 9 mOhm, 83 nC Qg, D2-Pak

100V, 127A, 6 mOhm, 120 nC Qg, D2-Pak

100V, 180A, 4.7 mOhm, 143 nC Qg, D2-Pak

100V, 190A, 4.0 mOhm, 150 nC Qg, D2-Pak 7-pin

150 В

150V, 33A, 42 mOhm, 26 nC Qg, D2-Pak

150V, 83A, 15 mOhm, 71 nC Qg, D2-Pak

150V, 99A, 12.1 mOhm, 77 nC Qg, D2-Pak

150V, 105A, 11.8 mOhm, 78 nC Qg, D2-Pak 7-pin

200 В

200V, 18A, 100 mOhm, 18 nC Qg, D2-Pak

200V, 24A, 77.5 mOhm, 25 nC Qg, D2-Pak

200V, 62A, 26 mOhm, 70 nC Qg, D2-Pak

200V, 76A, 21 mOhm, 110 nC, D2-Pak

250 В

250V, 45A, 48 mOhm, 72 nC Qg, D2-Pak

Корпуса для монтажа в отверстие

20

25 В

20V, 37A, 15 mOhm, 4.7 nC Qg, I-Pak

20V, 49A, 11 mOhm, 7.2 nC Qg, I-Pak

20V, 60A, 8.4 mOhm, 9.3 nC Qg, I-Pak

20V, 93A, 5.7 mOhm, 18 nC Qg, I-Pak

20V, 120A, 4.2 mOhm, 21 nC Qg, I-Pak

25V, 81A, 5.7 mOhm, 10 nC Qg, I-pak

25V, 57A, 8.7 mOhm, 6.8 nC Qg, I-pak

30 В

30V, 43A, 13.8 mOhm, 7 nC Qg, I-Pak

30V, 71A, 8.6 mOhm, 10 nC Qg, I-Pak

30V, 65A, 8.4 mOhm, 8.5 nC Qg, I-Pak

30V, 85A, 6.0 mOhm, 18 nC Qg, I-Pak

30V, 94A, 6 mOhm, 22 nC Qg, I-Pak

30V, 160A, 3.1 mOhm, 39 nC Qg, I-Pak

40 В

40V, 77A, 9 mOhm, 30 nC Qg, I-Pak

40V, 119A, 5.5 mOhm, 59 nC Qg, I-Pak

55-60 В

55V, 30A, 24.5 mOhm, 18 nC Qg, I-Pak

60V, 42A, 15.8 mOhm, 22 nC Qg, I-Pak

55V, 62A, 11 mOhm, 40 nC Qg, I-Pak

60V, 77A, 8.4 mOhm, 51 nC Qg, I-Pak

75 В

75V, 45A, 22 mOhm, 34 nC Qg, I-Pak

75V, 53A, 16 mOhm, 50 nC Qg, I-Pak

75V, 80A, 9.0 mOhm, 51 nC Qg, I-Pak

100 В

100V, 8.7A, 190 mOhm, 6.9 nC Qg, I-Pak

100V, 56A, 18 mOhm, 69 nC Qg, I-Pak

150 В

150V, 33A, 42 mOhm, 26 nC Qg, I-Pak

200 В

200V, 24A, 78 mOhm, 25 nC Qg, I-Pak

20

25 В

20V, 36A, 16 mOhm, 4.8 nC Qg, TO-220AB

20V, 50A, 11 mOhm, 7 nC Qg, TO-220AB

20V, 67A, 7.9 mOhm, 8.7 nC Qg, TO-220AB

20V, 92A, 6 mOhm, 16 nC Qg, TO-220AB

24V, 353A, 1.5 mOhm, 160 nC Qg, TO-220AB

30 В

30V, 50A, 9 mOhm, 8 nC Qg, TO-220AB

30V, 87A, 6.3 mOhm, 17 nC Qg, TO-220AB

30V, 105A, 6 mOhm, 23 nC Qg, TO-220AB

30V, 78A, 4.8 mOhm, 15 nC Qg, TO-220AB

30V, 150A, 3.2 mOhm, 36 nC Qg, TO-220AB

30V, 260A, 2.4 mOhm, 160 nC Qg, TO-220AB

30V, 260A, 1.95 mOhm, 57 nC Qg, TO-220AB

40 В

40V, 120A, 5.5 mOhm, 68 nC Qg, TO-220AB

40V, 190A, 3.7 mOhm, 100 nC Qg, TO-220AB

40V, 270A, 2.3 mOhm, 160 nC Qg, TO-220AB

40V, 340A, 1.75 mOhm, 160 nC Qg, TO-220AB

55-60 В

60V, 43A, 15.8 mOhm, 22 nC Qg, TO-220AB

55V, 51A, 13.9 mOhm, 29 nC Qg, TO-220AB

55V, 61A, 11 mOhm, 43 nC Qg, TO-220AB

60V, 79A, 8.4 mOhm, 46 nC Qg, TO-220AB

55V, 110A, 6.5 mOhm, 76 nC Qg, TO-220AB

60V, 160A, 4.2 mOhm, 85 nC Qg, TO-220AB

60V, 210A, 3 mOhm, 120 nC Qg, TO-220AB

60V, 270A, 2.5 mOhm, 200 nC Qg, TO-220AB

75 В

75V, 80A, 9.0 mOhm, 56 nC Qg, TO-220AB

75V, 120A, 5.8 mOhm, 79 nC Qg, TO-220AB

75V, 170A, 4.1 mOhm, 120 nC Qg, TO-220AB

75V, 210A, 3.3 mOhm, 160 nC Qg, TO-220AB

100 В

100V, 18A, 72.5 mOhm, 15 nC Qg, TO-220AB

100V, 36A, 26.5 mOhm, 42 nC Qg, TO-220AB

100V, 59A, 18 mOhm, 82 nC Qg, TO-220AB

100V, 73A, 14 mOhm, 90 nC Qg, TO-220AB

100V, 97A, 9 mOhm, 83 nC Qg, TO-220AB

100V, 127A, 6 mOhm, 120 nC Qg, TO-220AB

100V, 180A, 4.5 mOhm, 150 nC Qg, TO-220AB

150 В

150V, 17A, 95 mOhm, 13 nC Qg, TO-220AB

150V, 35A, 39 mOhm, 26 nC Qg, TO-220AB

150V, 83A, 15 mOhm, 71 nC Qg, TO-220AB

150V, 104A, 11 mOhm, 77 nC Qg, TO-220AB

200 В

200V, 18A, 100 mOhm, 18 nC Qg, TO-220AB

200V, 25A, 72.5 mOhm, 25 nC Qg, TO-220AB

200V, 65A, 24 mOhm, 70 nC Qg, TO-220AB

200V, 76A, 20 mOhm, 100 nC, TO-220AB

250 В

250V, 46A, 46 mOhm, 72 nC Qg, TO-220AB

250V, 60A, 33 mOhm, 99 nC Qg, TO-220AB

40 В

40V, 350A, 1.7 mOhm, 220 nC Qg, TO-247AC

55-60 В

60V, 160A, 4.2 mOhm, 85 nC Qg, TO-247AC

60V, 210A, 3 mOhm, 120 nC Qg, TO-247AC

75 В

75V, 170A, 4.5 mOhm, 180 nC Qg, TO-247AC

75V, 210A, 3.3 mOhm, 160 nC Qg, TO-247AC

75V, 350A, 1.85 mOhm, 380 nC Qg, TO-247AC

100 В

100V, 97A, 9 mOhm, 83 nC Qg, TO-247AC

100V, 127A, 6 mOhm, 120 nC Qg, TO-247AC

100V, 168A, 4.6 mOhm, 152 nC Qg, TO-247AC

100V, 290A, 2.6 mOhm, 360 nC Qg, TO-247AC

150 В

150V, 78A, 15.5 mOhm, 71 nC Qg, TO-247AC

150V, 171A, 5.9 mOhm, 151 nC Qg, TO-247AC

200 В

200V, 65A, 25 mOhm, 70 nC Qg, TO-247AC

200V, 130A, 9.7 mOhm, 161 nC Qg, TO-247AC

250 В

250V, 44A, 46 mOhm, 72 nC Qg, TO-247AC

250V, 57A, 33 mOhm, 99 nC Qg, TO-247AC

250V, 93A, 17.5 mOhm, 180 nC Qg, TO-247AC

N-канальные транзисторы 40-100В с логическим управлением

40 В

40V, 100A, 2.4 mOhm max, 43 nC Qg, PQFN 5×6, Logic Level

55 — 60 В

60V, 100A, 4.4 mOhm max, 44 nC Qg, PQFN 5×6, Logic Level

100 В

100V, 100A, 9.0 mOhm max, 44 nC Qg, PQFN 5×6, Logic Level

40 В

40V, 130A, 4.9 mOhm, 40 nC Qg, Logic Level, D-Pak

55 — 60 В

55V, 16A, 58 mOhm, 6.6 nC Qg, Logic Level, D-Pak

55V, 60A, 13.5 mOhm, 23 nC Qg, Logic Level, D-Pak

55V, 89A, 8 mOhm, 44 nC Qg, Logic Level, D-Pak

60V, 99A, 6.8 mOhm, 33 nC Qg, Logic Level, D-Pak

100 В

100V, 11A, 185 mOhm, 13.3 nC Qg, Logic Level, D-Pak

100V, 15A, 105 mOhm, 22.7 nC Qg, Logic Level, D-Pak

100V, 63A, 14 mOhm, 34 nC Qg, Logic Level, D-Pak

40 В

40V, 104A, 8 mOhm, 45.3 nC Qg, Logic Level, D2-Pak

40V, 200A, 3.1 mOhm, 75 nC Qg, Logic Level, D2-Pak

40V, 291A, 1.62 mOhm, 130 nC Qg, Logic Level, D2-Pak

40V, 347A, 1.24 mOhm, 130 nC Qg, Logic Level, D2-Pak 7-pin

55 — 60 В

55V, 18A, 60 mOhm, 10 nC Qg, Logic Level, D2-Pak

55V, 51A, 13.5 mOhm, 24 nC Qg, Logic Level, D2-Pak

55V, 86A, 8 mOhm, 40 nC Qg, Logic Level, D2-Pak

60V, 270A, 2.4 mOhm, 91 nC Qg, Logic Level, D2-PAK

60V, 300A, 1.9 mOhm, 110 nC Qg, Logic Level, D2-Pak-7

100 В

100V, 10A, 180 mOhm, 13.3 nC Qg, Logic Level, D2-Pak

100V, 17A, 100 mOhm, 22.7 nC Qg, Logic Level, D2-Pak

100V, 36A, 44 mOhm, 49.3 nC Qg, Logic Level, D2-Pak

100V, 55A, 26 mOhm, 93.3 nC Qg, Logic Level, D2-Pak

100V, 180A, 4.3 mOhm, 87 nC Qg, Logic Level, D2-PAK

100V, 190A, 3.9 mOhm,93 nC Qg, Logic Level, D2-PAK-7

40 В

40V, 104A, 8 mOhm, 45.3 nC Qg, Logic Level, TO-220AB

40V, 200A, 3.1 mOhm, 75 nC Qg, Logic Level, TO-220AB

40V, 343A, 1.7 mOhm, 108 nC Qg, Logic Level, TO-220AB

40V, 327A, 1.7 mOhm, 108 nC Qg, Logic Level, TO-247AC

55 — 60 В

55V, 18A, 60 mOhm, 10 nC Qg, Logic Level, TO-220AB

55V, 51A, 13.5 mOhm, 24 nC Qg, Logic Level, TO-220AB

55V, 86A, 8 mOhm, 40 nC Qg, Logic Level, TO-220AB

60V, 370A, 2.4 mOhm, 91 nC Qg, Logic Level, TO220

100 В

100V, 10A, 180 mOhm, 13.3 nC Qg, Logic Level, TO-220AB

100V, 17A, 100 mOhm, 22.7 nC Qg, Logic Level, TO-220AB

100V, 36A, 44 mOhm, 49.3 nC Qg, Logic Level, TO-220AB

100V, 48A, 260 mOhm, 93.3 nC Qg, Logic Level, TO-220AB

100V, 180A, 4.3 mOhm, 87 nC Qg, Logic Level, TO-220

N-канальные MOSFET транзисторы двухканальные

-30 В

двухканальный P-транзистор, -30В, 9.0A

двухканальный P-транзистор, -30В, 8.0A

30 В

двухканальный N-транзистор, 30В, 9.7A

двухканальный N-транзистор, 30В, 9.1A

двухканальный N-транзистор, 30В, 8.9A

двухканальный N-транзистор, 30В, 8.0A

двухканальный N-транзистор, 30В, 7.6A

двухканальный N-транзистор, 30В, 8.1A, 2.5В drive capable

60 В

двухканальный N-транзистор, 60В, 8.0A

-30 В

DUAL P-CHANNEL, -30V, 3.4A, PQFN2x2

20 — 25 В

DUAL N-CHANNEL, 20V, 3.4A, 2.5V drive capable, PQFN2x2

DUAL N-CHANNEL, 30V, 3.4A, 2.5V drive capable, PQFN 2×2

30 В

DUAL N-CHANNEL, 30V, 10A, PQFN3x3

100 В

DUAL N-CHANNEL, 100V, 3.4A, PQFN3x3

30 В

30V POL control and syncrhonous, PQFN5x6

P-канальные MOSFET транзисторы одноканальные

-20 В

P-Channel, -20V, 2.6A, 135 mOhm, 2.5V Drive capable, SOT-23

P-Channel, -20V, 4.3A, 54 mOhm, 2.5V Drive capable, SOT-23

-30 В

P-Channel, -30V, 1A, 150 mOhm, SOT-23

P-Channel, -30V, 3.6A, 64 mOhm, SOT-23

-20 В

P-Channel, -20V, 8.5A, 31 mOhm, 2.5V Capable PQFN2x2

ПШвИ — ПЕРВЫЙ ШАГ в ИНТЕРНЕТ

ИНТЕРНЕТ-ПОРТАЛ БОЛГАРСКОЙ СОШ №1

Ваш IP: 91.105.232.77

Основные параметры полевого n-канального транзистора CEP50N06/CEB50N06

Основные параметры полевого n-канального транзистора CEP50N06/CEB50N06

Тип канала: n-канал
Структура (технология): MOSFET

Pd max, мВт Uds max, В Udg max, В Ugs max, В Id max, мА Tj max, °C Fr (T on/of) Ciss tip, пФ Rds, Ом
131000 60 +-20 50000 -55+175 (18ns/32.5ns) 1230 0.019

Схемы транзистора CEP50N06/CEB50N06

Цоколевка транзистора CEP50N06/CEB50N06.

Обозначение контактов:
Международное: G — затвор, D — сток, S — исток.
Российское: З — затвор, С — сток, И — исток.

CET CEP50N06

Добавить комментарий

ШКОЛЬНЫЙ ВЕСТНИК. Выпуск №2 (Октябрь 2020)

Поиск по сайту

Новейшее из новостей

Звездные врата Вселенная Stargate Unive…

Звездные врата: Вселенная Stargate: Universe 2 сезона Сезон 1 Сезон 2 2009 2020

Admin 17 Ноя 2020 Просмотров:32 ФАНТАСТИКА

Звездные врата (StarGate SG-1)

Звездные врата StarGate SG-1 10 сезонов 1 2 3 4 5 1997 1998 1999 2000 2001 6 7 8 9 10 2002 2003 2004 2005 2006 Описание В 1994 году режиссер Роланд Эмг/ерих и сценарист Лин Левлин представили на суд публики ленту «Звездные врата». После того как приключенческий боевик о загадочном портале в удивительные инопланетные миры.

Admin 17 Ноя 2020 Просмотров:20 ФАНТАСТИКА

Звездные врата: Атлантида (Stargate: Atl…

Звездные врата: Атлантида Stargate: Atlantis 5 сезонов 1 сезон 2 сезон 3 сезон 4 сезон 5 сезон 2004г. 2005г. 2006г. 2007г. 2008г.

AVR Lab устройства на микроконтроллерах AVR

Форум по AVR

Транзистор 50N06 datasheet аналог, документация и параметры документация на русском

50N06

Мощный N-канальный MOSFET транзистор.

Цоколевка 50N06 показана на рис. 1

-Drain-Source Напряжение 60V
-Gate-Source Напряжение ± 20V
-Ток стока 50 A
-Мощность 131W
-Рабочая температура -55 до 175 °C

ТИПОВЫЕ ПРИМЕНЕНИЯ:
Высокочастотные импульсные источники питания, системы преобразователей и инверторов для управления скоростью электродвигателей постоянного и переменного тока, высокочастотные генераторы для индукционного нагрева, ультразвуковые генераторы, звуковые усилители, периферийные устройства для компьютеров, оборудование для телекоммуникаций и различная техника для военных и космических целей.

IGBT транзисторы используемые в плазменных телевизорах PDP. (1/2)

  • Страница:
  • 1
  • 2

IGBT транзисторы используемые в плазменных телевизорах PDP. 11 мес. 1 нед. назад #5072

  • master_tv
  • Не в сети
  • Модератор
  • Мастер по ремонту электроники
  • Сообщений: 4083
  • Спасибо получено: 395
  • Репутация: -18

2PG011 540V 40A 40W Vse 2.5V N-ch. TO-220F

AP85GT33SW 330V 90A 150W IGBT TO-3P

AP88N30W 300V 48A 312W 48Mom N-ch.TO-247

DG301 330V 40A TO-220F И TO-263

DG302 300V 250A TO-263 DG3C3020CL

DG402RP 430V 40A N-ch. TO-220F аналог DG3D4020CSRP,HGTP20N60C3, RJP63F3D

FDPF33N25T 250V 20A 94W 0.094om N-ch. TO-220F аналог FDPF51N25R,FDPF44N25T

FDPF51N25 250V 28A 0.060om 117W N-ch.TO-220F

FGA90N33ATD 330V 90A 223W TO-3P

FGD4536 360V 220A 125W TO-252

FGPF30N45T 450V 30A 50W TO-220F

FGPF4536 360V 220A 28.4W Vce=1.59V TO-220F

FGPF4633 330V 300A Vce 1.55A 30W TO-220F

FGPF4636 360V 60A TO-220F

FGPF50N33BT 330V 50A 43W N-Ch. Vce-1.6 IGBT TO-220F

FGPF70N30T 300V 70A 52W VCE =1.4V TO-220F

FGPF70N33 330V 70A 48W TO-220F

GT30F122 300V 120A 120W Vce-2.4 TO-220F

GT30F123 300V 200A Vce-2.1 25W TO-220F

GT30F124 300V 200A 25W Vce-2.3 TO-220F

GT30F125 330V 200A Vce-1.9 TO-220F

GT30F126 330V 200A 18W TO-263

GT30F131 360V 200A 140W Vce-1.9 TO-263

GT30F133 300V, 30A, TO-252 TO-263 и TO-220

GT30G122 400V 120A 25W Vce-2.6 TO-220F

GT30G123 430V 200A 25W Vce-2.2 TO-220F

GT30G124 430V 200A Vce-2.5 TO-220F

GT30G125 430V 200A 25W Vce-2.1 TO-220F аналог GT30G123, DG402RP,DG3D4020CSRP

GT30J124 600V 200A PULSE 26W TO-220F

GT30J127 600V 200A 25W TO-220F

GT30J322 600V 30A 75W TO-247

GT45F122 300V 200A 25W Vce-2.2 TO-220F

GT45F123 300V 200A 29W Vce-1.95 TO-220F

GT45F128 330V 200A 26W Vce-1.45 TO-220F

GT45G122 300V 200A Vce = 2.2V 25W TO-220F

GT45G128 430V 200A Vce=1.55 26W TO-220F

IRFP4332 250V 57A 29mom 360W TO-3P аналог AP88N30

IRFS52N15D 150V 51A 230W D-2PAK

IRG7R313U 330V 40A 78W TO-252 аналог 30J124,30F133

IRG7S313U 330V 40A 78W TO-263 аналог RJP30H2

IRG7SC28U 60A 225A 171W D2PAK

IRGP4086 300V 250A 160W TO-247

R5007 500V 7A 40W 1.3om N-ch. TO-220F аналог KF7N60

R6015ANX 600V 15A 0.3om 50W TO-220F

RCJ330N25 250V 33A 211W N-ch. TO-263

RCJ450N20 200V 45A 40W 42mom N-ch. TO-263

RCX200N20 200V 20A 40W 130Mom N-ch. TO-220F

RFN20NS3SW TO-263 PANASONIC

RGH3044 360V 30A 20W TO-220F

RJH3077 330V 50A Vce=1.6V TO-247

RJH30A3 300V 30A TO247

RJH30E2 360V 30A 120W TO-220F

RJH30E3 360V 40A TO-220F

RJH60F4 600V 60A 235W VCE 1.4 V TO-247

RJK6026 600V 5A 28W N-ch.TO-200F

RJP3034 аналог RJP30E2DPP, RJP30E3DPP, GT30F125

RJP3043 330V 50A TO-247

RJP3044 360V 30A TO-220F

RJP3045 360V 35A 25W TO-220F

RJP3047 330V 50A TO-3P

RJP3049 330V 65A IGBT TO-3P

RJP3053 300V 30A Vce-2.0 TO220F

RJP3054 300V 40A Vce=1.8V TO-220F

RJP3063 300V 30A Vce-1.7V TO-220F

RJP30E2 360V 35A 25W N-ch. IGBT TO-220F аналог RJP30E3DPP, GT30F125,RJP3034DPP

RJP30E3 360A 40A 60W VCE = 1.6 V TO-3P

RJP30H1 360V 200A 40W N-ch. TO-252

RJP30H2 360V 35A 60W VCE = 1.4 V TO-247

RJP30H2A 360V 250A 60W TO-263 аналог G7S313U

RJP43F4A 430V 40A TO-220F

RJP4584 450V 35A TO-220FP

RJP4585 400V 200A PIC 29W TO220F

RJP56F4 430V 200A 30W TO-220F

RJP6055 600V 20A IGBT TO-220F

RJP6065 630V 40A 50W N-ch. TO-3P и TO-220F

RJP63F3 630V 40A 30W N-Ch. TO-220F аналог RJP6065DPP

Определить полевой транзистор и найти аналог

14.09.2020, 12:47

Нужно опознать полевой транзистор
Материнская плата ASRock H55 Pro. Сгорели два полевика на шине питания процессора, не могу.

Пробило транзистор, нужен аналог (Asus P5QC)
Транзистор — PH9025L Нужно найти в Омске аналог, искал на чип и дип аналоги, но там не одного в.

Полевой транзистор
Здравствуйте. Подскажите пожалуйста. Купил новый полевой транзистор IRLR2905 прозвонил. Рабочий.

Полевой транзистор. Защита резистором.
Добрый день! Пытаюсь починить телевизор 19LH2000, проблема широко распространенная, пробивает.

Полевой транзистор с датчиком тока
Знаете ли, что это за зверик такой? Нашел тут статью, http://www.power-e.ru/2005_02_8.php. Но.

15.09.2020, 22:27 [ТС] 2

не уж то никто не поможет

Добавлено через 1 час 59 минут
нашел сайт производителя, но ничего похожего по маркировке не подберу http://www.st.com/web/en/catalog/sense_power/FM100/CL824

15.09.2020, 22:52 3 16.09.2020, 05:06 4

Решение

RAVproFFI, кроме тока и вольтажа важное заначение имеет еще параметр RDS, в данном случае транзистор рассчитан на больший ток и большее напряжение RDS примерно совпадает, так что можно менять.

По поводу менять все три или нет? Интересный вопрос, всегда менял только один горелый все работало, хотя правильнее наверное было бы заменить все три (в вашем случае наверное правильнее будут заменить все три, а то 20V впритык имхо, 25v 50A оно «поинтереснее» будет.

Добавлено через 4 минуты

Спасибо! Будем пробовать)

Добавлено через 10 часов 49 минут
заменил только один замкнутый транзистор — мамка запустилась, в биосе напряжения в норме) Завтра соберу в системник буду ганять по тестам.
Вот вопрос возник. Подключил питание, на мамке только процессор стоит. При включении бп, т.е. не с «кнопки», а сразу при подаче 220В, БП запускается, работает вентилятор. Я так подключил чтоб проверить пошло ли питание на проц и северный мост, т.к. до замены транзистора все было абсолютно холодным. Проц и мост сразу стали греться. Но почему БП стартует сразу, если кнопка включения не замкнута?
Потом воткнул видюху, озу и снова включил БП, но БП сам не запустился, только через кнопку вкл. как и положено. Ну а дальше заветный BEEP и post на экране.
Такое может быть?
Зеленый и земля на питании маки не замкнуты, но вот в шим возле штекера питания APW7120A прозванивается 3 и 8 контакт (земля и фаза). Хоть мамка и работает, не знаю на долго ли, но этот не нормальный старт системы немного озадачил.
Что можете сказать или подсказать?

Каждый электрик должен знать:  Искусственная нулевая точка
Добавить комментарий
16.09.2020, 05:06
16.09.2020, 05:11 5
Вложения

IC-ON-LINE.CN_sdu40n03_281003.pdf (335.5 Кб, 44 просмотров)
16.09.2020, 21:03 [ТС] 6

если придерживаться этой логике и подобрать аналог по этим 3м характеристикам, возможна ли работа м/п без проблем, т.е. что будет если заменить не на тот транзистор?
читал что если подобрать точный аналог, то достаточно заменить только нерабочий, но если аналог приблизительно схож по хар-кам, то желательно заменить все, в моем случае 3 фазы. Что вы думаете по этому поводу?

Добавлено через 7 минут
На старой материнке нашел вот такие мосфеты P0903BDG 25V 50A http://pdf1.alldatasheet.com/datashe. /P0903BDG.html
можно заменить на эти или лучше искать предполагаемые 20V 40A.

17.09.2020, 06:21 7
17.09.2020, 22:34 [ТС] 8