МДП-транзисторы со встроенным ка­налом

5.2.1. МДП-транзисторы со встроенным ка­налом

Рассмотрим особенности МДП-транзисторов со встроенным ка­налом n-типа (рис. 5.7, а) В исходной пластине кремния p-типа с помощью диф­фузионной технологии созданы области истока, стока и канала n-типа. Слой окисла SiO2 выполняет функции защиты поверхности, близлежащей к истоку и стоку, а также изоляции затвора от канала. Вывод подложки (если он имеется) иногда присоединяют к истоку.

Стоковые (выходные) характеристики по­левого транзистора со встроенным каналом n-типа для случая соединения подложки с истоком (рис. 5.7, б) по виду близки к характеристикам полевого транзистора с pn-переходом.

Каждый электрик должен знать:  Скалярный потенциал магнитного поля

Рассмотрим характеристику при = 0, что соответствует соединению затвора с истоком. Внеш­нее напряжение приложено к участку исток – сток положительным полюсом к стоку. Поскольку = 0, через прибор протекает ток, определяемый исходной проводимостью канала. На начальном участке 0 – а (рис. 5.7, б), когда падение напряжения в канале мало, зависимость близка к линейной.

По мере приближения к точке б падение напряжения в канале приводит ко все более существенному влиянию его сужения (рис. 5.7, а, штриховая линия) на проводимость канала, что уменьшает крутизну нарастания тока на участке а – б. После точки б токопроводящий канал сужается до минимума, что вызывает огра­ничение нарастания тока и появление на характеристике пологого участка II (рис. 5.7, б).

Каждый электрик должен знать:  Промежуточное реле назначение, принцип действия, устройство

Покажем влияние напряжения затвор-исток на ход стоко­вых характеристик.

В случае приложения к затвору напряжения 0 поле затвора притя­гивает электроны в канал из p-слоя полупроводниковой пластины. Концентрация носителей заряда в кана

ле увеличивается, что соот­ветствует режиму обогащения канала носителями. Про­водимость канала возрастает, ток увеличивается. Стоковые харак­теристики при > 0 располагаются выше исходной кривой = 0.

Каждый электрик должен знать:  Заземление ПК в частном доме возникла проблема

Для транзистора имеется предел повышения напряжения ввиду наступления пробоя прилежащего к стоку участка сток – затвор. На стоковых характеристиках (рис. 5.7, б) пробою соответствует достижение некоторой величины (область III). В случае 0 (режим обогащения).

Добавить комментарий