ВАХ идеального p-n-перехода и отличия ВАХ реального диода

2.4. ВАХ идеального p-n-перехода и отличия ВАХ реального диода

Рассмотрим ВАХ идеального pnперехода (рис. 2.6).

Как известно, прямой ток pn-перехода созда­ется основными, а обратный – неосновными носителями заряда. Концентрация основных носителей заряда на несколько порядков превышает концентрацию неосновных носи­телей. Этим и обусловливаются вентиль­ные свойства р-п-перехода, а следовательно, и диода.

Каждый электрик должен знать:  Приводы высоковольтных выключателей. Их устройство и назначение

Проведенному теоретическому анализу ВАХ диода со­ответствует ее запись в аналитической фор­ме:

где – ток насыщения (тепловой ток), создаваемый неос­новными носителями заряда; – тепловой потенциал.

При U = 0 согласно соотношению выражению (2.6) = 0. В случае при­ложения прямого напряжения (U = U a > 0) в выражении (2.6) единицей можно пренебречь и зависимость будет иметь экспоненциальный характер. В случае обратного напряжения (U = Ub

Каждый электрик должен знать:  Реактивная мощность в быту и на производстве. В чем разница

Добавить комментарий